在多晶硅與硅晶圓的生產鏈中，氯化氫（HCl）是合成三氯氫硅的關鍵原料。若其水分含量超標（露點 > -30℃），將引發三氯氫硅水解，導致還原爐內襯氧化、雜質摻雜，直接造成芯片良率下降。
“一滴水，可能毀掉一個晶圓片。”——某頭部半導體廠工藝工程師
氯化氫輸送管道法蘭、吸收塔、儲罐是腐蝕泄漏高發區。傳統人工巡檢滯后，而水分引發的鹽酸冷凝會加速金屬腐蝕，引發重大**事故。
電解液（如DMC、DEC）中微量水分（>50ppm）會與鋰鹽反應生成HF，腐蝕電極、消耗活性鋰，導致容量衰減、內阻上升，甚至熱失控。
原料藥合成中，水分超標0.01%即可導致結晶形態異常、純度下降、有效期縮短，甚至引發藥政合規風險。
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