日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
可以根據設備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉/上/下/上/下，傾斜加熱和反向濺射等各種功能都包含在該單元中。 各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素燈和其他10種類型
基板加熱階段需要加熱階段，例如垂直提升機構（基板支架和加熱頭中的一個或兩個），基板旋轉，RF / DC基板偏壓（反向飛濺RF / DC清潔）和加熱部分傾斜。它是具有多種功能的“多合一”組件。我們可以滿足對半導體制造設備和各種真空設備（氣相沉積設備，濺射，CVD設備）的所有要求。
2寸熱舞臺_800C
晶圓托盤_提起
?半導體制造，薄膜的實驗設備，RF / DC反濺射，PECVD，RIE等 ?用熱臺（800℃說明書→修飾以醉高1600℃）更換現有設備的加熱機構 ?新工藝評價機器，樣機，等
?NiCr加熱器 ?Inconel加熱器 ?鎢加熱器 ?鉬加熱器 ?鹵素燈加熱器 ?石墨加熱器 ?C / C復合加熱器 ?各種涂層加熱器（PG，PBN，SiC涂層，玻璃碳） *工作溫度和數據均為“陶瓷頂”?請參閱“加熱器”。
熱舞臺結構
埃登威自動化系統設備（上海）有限公司
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