日本napson4探針法測(cè)量?jī)x
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產(chǎn)品名稱:
日本napson4探針法測(cè)量?jī)x
產(chǎn)品型號(hào):
RT70V
產(chǎn)品展商:
其它品牌
產(chǎn)品文檔:
無相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
日本napson4探針法測(cè)量?jī)x它是測(cè)量?jī)x（RT-70V）和測(cè)量臺(tái)的組合測(cè)量?jī)x。
日本napson4探針法測(cè)量?jī)x 的詳細(xì)介紹
日本napson4探針法測(cè)量?jī)x
測(cè)量?jī)x：RT-70V>
-
使用JOG撥盤，厚度，溫度，PN輸入（RT-70V測(cè)試儀），易于操作
-
自檢功能，自動(dòng)量程切換，4種測(cè)量模式
-
具有厚度/溫度補(bǔ)償功能（用于硅）
<測(cè)量階段>
*根據(jù)目的和用途，可以從以下選擇測(cè)量階段。
-
（1）RG-7C [產(chǎn)品圖片左上]：電機(jī)自動(dòng)上下探針臺(tái)
-
（2）RG-5 [產(chǎn)品圖像左下方] ：帶手動(dòng)手柄的探針上下平臺(tái)
-
（3）RG-7S [產(chǎn)品圖片右上]：用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺(tái)
-
（4）TS-7D [產(chǎn)品圖像右下] ：便捷的探頭類型*平臺(tái)板是可選的。
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
-
與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
-
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
-
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
-
擴(kuò)散樣本
-
硅基外延離子注入樣品
-
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
日本napson4探針法測(cè)量?jī)x測(cè)量尺寸
*組合測(cè)量取決于舞臺(tái)類型。
圓形：?300mm（12英寸），方形：?730x920mm，可廣泛使用。
測(cè)量范圍
［電阻（電阻率）］1μ?300kΩ? cm
［板電阻］ 5m?10MΩ/ sq
測(cè)量?jī)x：RT-70V>
-
使用JOG撥盤，厚度，溫度，PN輸入（RT-70V測(cè)試儀），易于操作
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自檢功能，自動(dòng)量程切換，4種測(cè)量模式
-
具有厚度/溫度補(bǔ)償功能（用于硅）
<測(cè)量階段>
*日本napson4探針法測(cè)量?jī)x根據(jù)目的和用途，可以從以下選擇測(cè)量階段。
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（1）RG-7C [產(chǎn)品圖片左上]：電機(jī)自動(dòng)上下探針臺(tái)
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（2）RG-5 [產(chǎn)品圖像左下方] ：帶手動(dòng)手柄的探針上下平臺(tái)
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（3）RG-7S [產(chǎn)品圖片右上]：用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺(tái)
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（4）TS-7D [產(chǎn)品圖像右下] ：便捷的探頭類型*平臺(tái)板是可選的。
測(cè)量規(guī)格
日本napson4探針法測(cè)量?jī)x測(cè)量目標(biāo)
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與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
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新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
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導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
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擴(kuò)散樣本
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硅基外延離子注入樣品
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其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
*組合測(cè)量取決于舞臺(tái)類型。
圓形：?300mm（12英寸），方形：?730x920mm，可廣泛使用。
測(cè)量范圍
［電阻（電阻率）］1μ?300kΩ? cm
［板電阻］ 5m?10MΩ/ sq
日本napson4探針法測(cè)量?jī)x
